接枝率測定原理-低場核磁技術
納米顆粒表面改性之接枝率測定原理
納米級二氧化硅作為典型的納米顆粒材料具有分散性好，比表面積大，親水性、力學補強性、增稠性及防粘結性等特性，廣泛應用于電子封裝材料、高分子復合材料、塑料、涂料、橡膠、顏料、 陶瓷、膠黏劑、玻璃鋼、藥物載體、化妝品及抗菌材料、油墨等領域；
評價SiO2納米材料表面改性的接枝率測定原理
二氧化硅納米顆粒表面存在大量的不同狀態(tài)的羥基不飽和殘鍵，親水疏油，易于團聚，必須要對其進行功能化改性，以提高性能及應用范圍。
二氧化硅表面改性的目的主要有以下3個方面：
一是改善或提高二氧化硅納米顆粒在介質中的分散性及相容性。因為表面修飾后的納米顆粒可以減弱表面活性羥基的帶電效應和表面的親水性，所以可以有效防止顆粒團聚；
二是通過表面修飾，在二氧化硅表面接枝活性基團，提高或者控制其表面活性，從而為納米粒子的進一步接枝或者功能化提供了可能性；
三是拓寬二氧化硅納米顆粒的應用范圍，表面修飾后的納米顆?？梢援a生新的功能，如藥物運輸和釋放，刺激響應性等。
低場核磁技術接枝率測定原理：
LU等科學家采用多洛倫茲分裂算法將游離PEG的NMR信號與接枝的NMR信號區(qū)分開，從而可以使用1H-NMR對接枝過程進行原位監(jiān)測。低場核磁技術接枝率測定方法的優(yōu)點是不受接枝基團末端官能團類型、表面化學性質、納米粒子或組成的限制，它還為相關科學研究提供表征納米顆粒上基團接枝密度的關鍵和標準指南。
針對固體顆粒樣品，也可以使用固體核磁技術通過化學位移氫譜對接枝率進行定量表征，不過大家都知道固體核磁相對成本較高，對使用者要求較高。
低場核磁技術接枝率測定方法的優(yōu)勢：
低場核磁技術因為其設備成本較低，使用簡單，適用于宏觀樣品等特性，非常適用于快速測定顆粒表面接枝率測定。它通過MSE系列序列實現(xiàn)死時間內的1H核磁信號采集，zui大程度的采集到了接枝在顆粒表面的基團中H原子核的信號，利用外標法進行定量分析。
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